Dangosir pen cawod wedi'i gyplu'n agos AIXTRON yn yr adweithydd Dyddodi Ocsidau ac Anweddau Cemegau Calcogenaidd Metalorganig (MOCVD) gyda'r haen galiwm ocsid 4 modfedd denau ar saffir yn cael ei dadlwytho.
Mae ymchwilwyr yn y Ganolfan Deunyddiau Lled-ddargludol Integreiddiol (CISM) ym Mhrifysgol Abertawe wedi torri tir newydd sylweddol mewn ymchwil i led-ddargludyddion drwy ddangos gallu haen galiwm ocsid 4-modfedd denau am y tro cyntaf yn y DU.
Mae hwn yn fath o ddeunydd lled-ddargludol y genhedlaeth nesaf sy’n gallu cefnogi'n fwy effeithiol y folteddau uchel, y dwyseddau pŵer, a’r amleddau uwch sydd eu hangen ar gyfer cymwysiadau mewn cerbydau trydan, ffynonellau ynni adnewyddadwy a chyfathrebiadau 5g.
Cafodd y cynnydd hwn ei gyflawni drwy ddefnyddio system ddyddodi pen cawod AIXTRON wedi'i gyplu'n agos newydd ei chomisiynu. Mae’r system hon yn gallu creu neu dyfu haen galiwm ocsid grisialog denau o ansawdd uchel ar swbstradau 4 modfedd a adnabyddir fel haenellau, y profwyd ac a ddangoswyd eu bod yn unffurf iawn ac o ansawdd uchel.
Darperir y gallu o'r radd flaenaf hwn yn y Labordy Dyddodi Ocsidau ac Anweddau Cemegau Calcogenaidd Metalorganig (MOCVD) newydd yn CISM, sydd ar y trywydd i fod yn ganolbwynt cenedlaethol ar gyfer ymchwil a datblygiad haenau galiwm ocsid tenau mewn meysydd megis electroneg pŵer, ffotosynwyryddion uwchfioled dwfn, a chymwysiadau ocsid dargludol tryloyw.
Mae'r garreg filltir bwysig hon yn allweddol i ddatblygiad dyfeisiau electronig mwy effeithlon, cryno a chost effeithiol, a hefyd yn arddangos galluoedd gweithgynhyrchu ac arloesi lled-ddargludyddion cynyddol clwstwr lled-ddargludyddion uwch de Cymru CSconnected gyda chwmnïau gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion sy'n arwain y ffordd yn fyd-eang megis Vishay, KLA, Microchip ac IQE. Mae'r cyflawniad hefyd yn amserol o ystyried y cyhoeddiad diweddar am Vishay yn buddsoddi £250M, gyda chefnogaeth Cronfa Trawsnewid Moduro Llywodraeth y DU, yn ei ffatri yng Nghasnewydd i ehangu'n ddramatig weithgynhyrchu cydrannau lled-ddargludyddion pŵer bwlch band eang uwch
Meddai'r Athro John Heffernan o'r Cyfleuster Epitacsi Cenedlaethol sy'n cefnogi ymchwil lled-ddargludyddion mewn prifysgolion yn y DU:
"Mae gallu MOCVD Prifysgol Abertawe nawr ar gael i ymchwilwyr drwy gydweithrediad uniongyrchol. Gall ymchwilwyr hefyd gael mynediad at astudiaethau dichonolrwydd trwy bartneriaeth Abertawe â chynllun Sefydlu Cyfleuster Epitacsi Cenedlaethol y DU. Mae'r fenter yn sicrhau y gall partneriaid academaidd a diwydiannol fanteisio ar arbenigedd Abertawe ym maes tyfu haenau epitacsioll tenau i gyflymu eu gwaith ymchwil a datblygu technoleg.'
Meddai Dr Dan Lamb, Arweinydd Ymchwil y Ganolfan Ocsidau a Chalcogenidau, MOCVD ym Mhrifysgol Abertawe:
"Mae'r cyfleuster newydd hwn yn cynrychioli cam enfawr ymlaen i'n hymchwil, ac rwy'n gyffrous iawn am y posibiliadau mae'n eu datgloi ar gyfer datblygiad deunyddiau a dyfeisiau newydd. Gyda'r offer uwch hwn, gallwn wthio ffiniau ein gwaith presennol gan hefyd greu cyfleoedd newydd ar gyfer cydweithredu â grwpiau ymchwil ar draws y DU a thu hwnt."
Meddai Sam Evans, Cyfarwyddwr Sicrhau Ansawdd a Materion Allanol, Vishay Casnewydd:
"Mae hwn yn gam mawr ymlaen ar gyfer arloesi deunyddiau bwlch band eang yn ein Clwstwr Lled-ddargludyddion yn ne Cymru, gan ategu ymdrechion i dyfu gweithgynhyrchu rhanbarthol mewn electroneg pŵer uwch fel buddsoddiad o £250M gan Vishay mewn ehangu cydrannau SiC a gyhoeddwyd yn ddiweddar."
Ariannwyd y system ddyddodi gan grant gwerth £2.7 miliwn gan y Cyngor Ymchwil Peirianneg a'r Gwyddorau Ffisegol (EPSRC - Rhaglen Cyfarpar Strategol), gan atgyfnerthu ymrwymiad y DU i wella arloesedd ym maes lled-ddargludyddion.